Uusien, yhä nopeampien prosessorien myötä, on tietokoneisiin muodostomassa yksi suuri suorituskykyä haittaava tekijä - muisti. Nykyiset PC100/PC133 SDRAM -muistit eivät enää riitä siirtämään tietoa tarpeepsi nopeasti. Tilannetta paikkamaassa on jo yksi ratkaisu, Rambus-yhtiön Direct RDRAM, ja viimein valmiiksi asti saatu DDR SDRAM -teknologia.

DDR, Double Data Rate, eli tuplattu tiedonsiirtonopeus, on monista näytönohjaimista tuttu teknologia, jossa tietoa pystytään käsitteleemään nopeammin. Tavallinen SDRAM-muisti käsittelee yhden muistioperaation per kellonlyömä, kun taas kehittyneempi DDR-muisti käsittelee kaksi muistioperaatiota per kellonlyömä. DDR-muisti siis pystyy lukemaan ja kirjoittamaan dataa yhdellä kellonlyömällä. Yksinkertaisesti asian voisi ilmaista näin: 100 MHz DDR SDRAM -muisti saavuttaa saman nopeuden mihin vaadittaisin 200 MHz:n tavallinen PC100 SDRAM -muisti. Tällä tekniikalla voidaan saavuttaa maksimissaan 2,1 Gt/s tiedonsiirtonopeus käyttäen PC2100 -muistia.




Rambus yhtiön Direct RDRAM -muistia on ollut saatavana jo jonkin aikaa, mutta se ei ole nauttinut kovin suuresta suosiosta käyttäjien keskuudessa, johtuen muistien kalleudesta verrattuna SDRAM-muistiin. Yhtiö on myöskin saanut monet valmistajat takajaloilleen uhkauksillaan ja toteuttamillaan oikeusjutuilla. Yhtiöhän on väittänyt omistavansa patentit nykyisiinkin, SDRAM-muisteissa käytettyihin teknisiin ratkaisuihin ja vaatinut muilta muistivalmistajilta korvauksia. RDRAM-muistin tekniset ratkaisut ovat hyvin lähellä SDRAM:in vastaavia. Kuinka RDRAM sitten voi olla nopeampaa kuin SDRAM? RDRAM-muistien nopeusero johtuu sekä itse muistikammassa, että emolevyn piirisarjassa olevasta muistin ohjauspiiristä, joka mahdollistaa nopeamman suorituskyvyn verrattuna tavalliseen SDRAM-muistiin, PC800 mallinen muisti kykenee siirtämään tietoa nopeudella 1,6 Gt/s, eli hiukan hitaammin kuin DDR SDRAM, tämäkin on kuitenkin enemmän kuin riittävä tämän hetkisiin tarpeisiin.




Tämän asian ratkaisee perimmiltään se, kumman prosessorin koneeseensa haluaa. Intel on ollut vahvasti tukemassa RDRAM-tekniikkaa i820-piirisarjasta lähtien, mutta se ei ole ollut niin ongelmaton kuin Intel ja Rambus etukäteen toivoivat. Uuden piirisarjan ja sen muistien suorituskyky kykeni juuri ja juuri parempaan kuin Intelin edellinen, BX-piirisarja. Tämä ei kuitenkaan ollut Rambusin vika, vaan i820-piirisarjassa oli useita virheellisiä ratkaisuja, jotka heikensivät muistin toimintakykyä, ja uusi i840 piirisarja osaakin jo ottaa kaiken hyödyn irti nopeammasta muistista.

On yleinen harhaluulo, että Intel omistaa Rambus yhtiön ja AMD:llä ei ole edes mahdollisuutta käyttää sitä omissa ratkaisuissaan. Tämä ei kuitenkaan ole totta, Intel ei omista Rambusia, vaikka nämä kaksi yhtiötä tekevätkin tiivistä yhteistyötä. AMD:llä on myöskin lisenssi käyttää Rambus-tekniikkaa omissa piirisarjoissaan, mutta yhtiö ei ole näin tehnyt, vaan on ottanut omaksi lähtökohdakseen juuri DDR SDRAM -muistin, ainakin vuoden 2001 ensimmäiselle neljännekselle asti. Tällä hetkellä DDR SDRAM-muistia hyödyntäviä emolevyjä ei vielä ole saatavilla, ensimmäiset testiversiot, joissa on uusi VIA:n piirisarja on jo toimitettu testattavaksi.



Seuraavan sukupolven prosessorien ilmestyessä, ei RDRAM- eikä DDR SDRAM -muistin suorituskyky enää riitä, vaan on joko pystyttävä parantamaan näiden kahden muistityypin nopeutta vielä entisestään, tai kehittämään kokonaan uusi muistitekniikka, mutta sen saaminen valmiiksi ja kauppoihin tämän vuoden loppuun mennessä vaikuttaa epätodennäköiseltä, joten täytyy olla konsti nopeuttaa ainakin yhtä näistä kahdesta ratkaisusta. Siihen on olemass kaksi tapaa: nostamalla kellotaajuutta, tai leventämällä muistikaistaa.

Koska sekä RDRAM että DDR SDRAM toimivat jo tuplanopeudella, pitää nopeus nelinkertaistaa. Ja koska kellotaajuuden nostaminen, johtuen nykyisistä valmistusmetodeista on hankalaa, jää ainoaksi käytännön vaihtoehdoksi muistikaistan leventäminen.

Tietokonealan trendinä on ollut kokoajan pienentää pinnien eli kontaktipintojen lukumäärää. Tämä ajatus on otettu hyvin huomioon RDRAM-tekniikassa, joka siirtää tietoa sarjassa, eikä rinnakkain kuten SDRAM. Kun otetaan huomioon että yksi RDRAM-kanava on vain 16-bittiä, ja SDRAM:in 64-bittiä, on useamman kuin yhden RDRAM-muistikanavan lisääminen huomattavasti helpompaa. Mitä suurempi pinnimäärä, sen vaikeampaa on saada piirilevylle kaikki johdotukset muistilta muistinohjauspiirille. Tämä johtaa siihen, että ennemmin tai myöhemmin emolevyn piirikortille täytyy ruveta lisäämään kerroksia, joka taas nostaa emolevyn valmistuskustannuksia nopeasti, esim. ABIT onkin ilmoittanut että se ei aio edes harkita neljää useamman kerroksen toteuttamista omissa emolevyissään.

RDRAM-muisteille toisen kanavan lisääminen sitä vastoin onnistuu lisäämättä pinnien määrää kovinkaan ratkaisevasti. Näin ollen tämä on huomattavasti halvempaa. Intelin i840-piirisarjassa, kuten myös Sony PlayStation 2:ssa tämä onkin jo toteutettu.

Jatkoa ajatellen RDRAM näyttäisi olevan vahvempi ratkaisu, sillä sen nopeuden kasvattaminen on huomattavasti halvempaa ja helmpompaa kuin DDR SDRAM -muistin. Tällä hetkellä RDRAM on vielä huomattavasti kalliimpaa kuin SDRAM, johtuen suurelta osin tavarapulasta, ei Rambus-yhtiön perimistä lisenssimaksuista, toisin kuin yleinen harhaluulo on. Useat muistivalmistajat ovat ilmoittaneet aloittavansa RDRAM-muistien valmistuksen, joten hinnat tullevat laskemaan nykyisestä, jolloin RDRAM:sta tulee houkutteleva vaihtoehto jo hintansakin puolesta. Saapa nähdä mitä muistitaistelussa käy.